Molekulyar şüa epitaksisi və ya MBE, kristal substratlarında yüksək keyfiyyətli nazik kristal təbəqələri yetişdirmək üçün yeni bir texnikadır. Ultra yüksək vakuum şəraitində, istilik sobası hər cür tələb olunan komponentlərlə təchiz olunur və buxar yaradır, şüa atom və ya molekulyar şüa ilə toqquşduqdan sonra əmələ gələn dəliklərdən keçir, tək kristal substratının müvafiq temperaturuna birbaşa vurulur, molekulyar şüanın substrata skan edilməsini idarə edir və eyni zamanda kristal hizalanma təbəqələrindəki molekulların və ya atomların substrat üzərində nazik bir təbəqə "böyüməsini" təmin edə bilər.

MBE avadanlığının normal işləməsi üçün yüksək təmizlikli, aşağı təzyiqli və ultra təmiz maye azotun avadanlığın soyutma kamerasına davamlı və sabit şəkildə daşınması tələb olunur. Ümumiyyətlə, maye azot təmin edən bir çən 0,3MPa ilə 0,8MPa arasında çıxış təzyiqinə malikdir. -196℃-də maye azot boru kəməri daşınması zamanı asanlıqla azota buxarlanır. Təxminən 1:700 qaz-maye nisbətinə malik maye azot boru kəmərində qazlaşdırıldıqdan sonra çox miqdarda maye azot axını sahəsini tutacaq və maye azot boru kəmərinin sonunda normal axını azaldacaq. Bundan əlavə, maye azot saxlama çənində təmizlənməmiş zibillərin olması ehtimalı var. Maye azot boru kəmərində yaş havanın olması da buz şlaklarının əmələ gəlməsinə səbəb olacaq. Bu çirklər avadanlıqlara axıdılsa, bu, avadanlığa gözlənilməz zərər verəcək.

Buna görə də, açıq saxlama çənindəki maye azot yüksək səmərəlilik, sabitlik və təmizliklə tozsuz emalatxanada MBE avadanlığına daşınır və aşağı təzyiq, azot və çirk yoxdur, 24 saat fasiləsiz olaraq bu cür nəqliyyat idarəetmə sistemi ixtisaslı bir məhsuldur.